Учёным из Беркли удалось создать транзистор с 1-нм затвором

На протяжении долгого времени вся полупроводниковая промышленность считала, что сделать затвор полупроводника длиной менее 5 нм невозможно, поэтому их разработка и изготовление практически не рассматривались. Но в последние годы эта теория пошатнулась, а группа учёных из Калифорнийского университета в Беркли и вовсе создала транзистор с длиной затвора всего 1 нм. Для этого они использовали графен, а также дисульфид молибдена (MoS2), что и позволило достичь поставленной цели.

Создание рабочего транзистора с длиной затвора 1 нм является действительно важным достижением, так как большая часть современных полупроводников из кремния имеют затворы с длиной 20 нм. Для сравнения, новейшие процессоры Kaby Lake от Intel имеют затвор длиной 14 нм, а к производству транзисторов с длиной затвора 10 нм Intel приступит только к концу следующего года.

Одна из проблем создания подобных рабочих транзисторов заключалась в том, что при использовании в их производстве только кремния существенно усложнялся процесс контроля потока электронов через материал, в результате чего транзисторы не могут быть выключены. Но так как электроны становятся "тяжелее", когда они проходят MoS2, это позволило преодолеть барьер в 5 нм.

"Создав этот транзистор, мы доказали, что затвор с длиной менее 5 нм является достижимой целью. Это ограничение оказалось преодолимым. Закон Мура продолжит и дальше действовать, но при условии, что мы будем использовать правильные материалы", - рассказал Али Джави из университета в Беркли.

Преодоление отметки длины затвора полупроводника в 5 нм может означать, что в будущем устройства станут ещё компактнее или же мощнее, но с сохранением нынешних размеров. 

Add new comment