Qualcomm Snapdragon 835 официально представили на CES 2017

Как и ожидалось, на выставке CES 2017 компания Qualcomm представила чипсет Snapdragon 835. В то время как Snapdragon 821 был лишь наследником 820 с увеличенной производительностью, новый Snapdragon 835 построен на техпроцессе 10 нм от Samsung с транзисторами FinFET (3D) второго поколения. Новинку ещё не успели протестировать в бенчмарках, но Qualcomm заявляет о приросте производительности на 20% в сравнении с предшественником. Snapdragon 835 оснащается группой из четырёх ядер с частотой 2,45 ГГц и 2 МБ кэш-памяти, а также кластером из четырёх энергоэффективных ядер с частотой 1,8 ГГц и 1-мегабайтным кэшем.

Платформа Snapdragon 835 создана для поддержки развлекательного интерфейса следующего поколения и подключенных облачных сервисов для пользовательских устройств премиум класса, в том числе смартфонов, дисплеев виртуальной и дополненной реальности, IP-камер, планшетов, мобильных ПК и других потребительских девайсов на основе различных ОП, включая Android и Windows 10 с поддержкой уже существующих приложений Win32.

Qualcomm рассказала, что 80% всей нагрузки будет выполнять именно энергоэффективные ядра. Оба кластера основаны на дизайне Qualcomm Kryo 280 с ARM Cortex в основе. Производитель уверяет, что новинка покажет не только производительность, но и меньший уровень потребления энергии, чем раньше, опережая в этом показателе Snapdragon 801 на 50%.

"Наш новый флагманский процессор Snapdragon создан для возможности соблюдения жестких требований технологий мобильной виртуальной реальности и обеспечения повсеместного сетевого подключения для множества тонких и легких мобильных устройств, - сказал Кристиано Амон, исполнительный вице-президент компании Qualcomm Technologies и президент QCT, - Snapdragon 835 обеспечивает беспрецедентный уровень интеграции технологии, в том числе для поддержки более длительного срока заряда батареи, улучшенной мультимедийной системы и исключительных возможностей фотографирования с гигабитной скоростью для быстрого и захватывающего пользовательского опыта".

Чипсет получил обновлённую графику Adreno 540, производительность которой в самых важных типах приложений выросла на 25%. Adreno 540 поддерживает DirectX 12, HDR10 и готов к работе с Ultra HD. Технология Qualcomm QSync, которую поддерживает чип, контролирует частоту обновления, синхронизируя её с отображаемым на экране контентом. Это повышает частоту кадров, а также убирает визуальные задержки. 

Интегрированный DSP-процессор Qualcomm Hexagon позволит работать с большим объёмом данных, опережая основные ядра по производительности и энергоэффективности в вычислительных задачах. Между тем работа DSP будет малозаметна в бенчмарках, так как они не взаимодействуют с системой напрямую. Пользователи ощутят их преимущества, например, в виртуальной реальности, где DSP-процессор используется для отслеживания движений головы. Snapdragon 835 Hexagon совместим с AI-библиотекой TensorFlow и языком обработки изображений Halide. В этих задачах DSP будет в 25 раз производительнее всех ядер процессора. Кроме того, в Snapdragon 835 встроена платформа безопасности Qualcomm Haven с повышенной безопасностью для систем биометрии и аттестации устройств.

Spectra 180 ISP интегрирован с чипсетом для обработки изображения с камеры на очень высокой скорости, а LTE-модем X16 поддерживает LTE Advanced Pro и стал первым гигабитным 4G-модемом производителя. Напомним, Qualcomm также работает над 5G-модемом Х50, но внедрить его в чипсет пока что не удаётся. Также Snapdragon 835 поддерживает технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0, которая на 20% быстрее прошлой версии и теряет меньше энергии во время зарядки.

Усовершенствования, доступные со Snapdragon 835, можно разделить на несколько ключевых технологических направлений, основанных на расширенном машинном обучении:

• Срок действия заряда батареи: процессор Snapdragon 835 на 35% меньше размером и потребляет на 25% меньше энергии по сравнению с флагманским процессором предыдущего поколения, что обеспечивает более длительный срок действия от одного заряда батареи и предоставляет возможность разработки более тонких устройств. Центральный процессор Kryo 280 имеет высокоэффективную архитектуру для обеспечения мощности, а встроенный цифровой сигнальный процессор Hexagon 682 поддерживает TensorFlow и Halide. Широкие возможности гетерогенной вычислительной платформы обеспечены сочетанием центрального, цифрового сигнального процессоров, датчика изображений и поддержки структуры ПО в Snapdragon 835. Кроме того, Snapdragon 835 оснащён технологией Qualcomm Quick Charge 4, которая позволяет произвести зарядку до 20% быстрее и обеспечивает до 30% более высокую эффективность, чем Quick Charge 3.0.
• Пользовательский опыт погружения: Snapdragon 835 создан для соблюдения высоких требований производительности, тепловых пределов и ограничений энергетической эффективности устройств виртуальной и дополненной реальности нового поколения. В то же время процессор поддерживает платформу Daydream от компании Google для высококачественной мобильной виртуальной реальности. Большинство усовершенствований были реализованы для повышения качества изображений, звука и интуитивного взаимодействия. Модернизация заключается в увеличении производительности визуализации 3D-графики до 25% и в поддержке большего количества цветов (до 60 раз) при помощи подсистемы графической обработки Adreno 540. Snapdragon 835 также поддерживает 4K Ultra HD Premium (HDR10) видео, 10-битные дисплеи с широкой цветовой гаммой, 3D-звук на основе объектов и сцен, а также функцию отслеживания движений в VR/AR, включающую в себя интегрированную сенсорную систему с шестью степенями свободы (6DoF).
• Создание изображений/видео: Snapdragon 835 позволяет улучшить функцию  как захвата статичных изображений, так и видео благодаря сглаженным оптическим возможностям зумирования, технологии быстрого автофокуса и перцепционному квантованию видео кодирования с реалистичными HDR цветами. Основой функции захвата являются двойные 14-битные процессоры камеры (dual 14-bit ISPs) Qualcomm Spectra 180, делающие возможным существование 32-мегапиксельной или двойной 16-мегапиксельной камер для фотографий и видео высокого качества.
• Возможности соединения: Snapdragon 835 будет поставляться с интегрированным гигабитным LTE-модемом X16, с 2х2 802.11ac Wave 2 и 802.11ad мультигигабитным Wi-Fi, что делает его первым коммерческим процессором, оборудованным для обеспечения гигабитного Интернета в домашних условиях и в движении. Как ожидается, несколько сетей гигабитного LTE-соединения будут развёрнуты по всему миру в 2017 году, что расширит использование стандарта 802.11ad. Snapdragon 835 создан для воплощения в жизнь возможностей соединения нового поколения в области VR/AR, нелимитированных облачных систем хранения данных, развлекательных технологий и мгновенных приложений.
• Безопасность: платформа безопасности Qualcomm Haven обеспечивает поддержку систем биометрии, в том числе отпечатки пальцев, биометрию глаз и лица. Qualcomm Haven также включает в себя функции аутентификации пользователей на аппаратной основе, аттестации устройств и обеспечения безопасности устройств для таких сценариев использования, как мобильные платежи, доступ для предприятий и персональные данные пользователя.
• Машинное обучение: модернизация строения ПО Snapdragon Neural Processing Engine (процессор обработки данных в нейронной сети) включает в себя поддержку TensorFlow от компании Google и усовершенствованные Hexagon DSP и Hexagon Vector eXtentions (HVX), в том числе поддержку пользовательских нейронных сетей и оптимизацию мощности и производительности гетерогенных ядер Snapdragon. Теперь, используя машинное обучение, оригинальные производители оборудования (OEM) и разработчики ПО смогут реализовать интеллектуальное фотографирование, обеспечить высокий уровень безопасности и защиты персональных данных, разрабатывать умные автомобили и персональные помощники, а также более реалистичные VR- и AR-технологии.

Особенности процессора Snapdragon 835:

• центральный процессор Kryo 280 с четырьмя ядрами производительности с частотой до 2,45 ГГц и четырьмя ядрами эффективности работающих до 1,9 ГГц;
• интегрированный LTE-модем Snapdragon X16 с поддержкой LTE Category 16 со скоростью до 1 Гбит/с, а также LTE Category 13 со скоростью до 150 Мбит/с;
• интегрированный 2х2 11ac MU-MIMO с уменьшенным до 50% размером и со сниженным энергопотреблением Wi-Fi до 60% по сравнению с Snapdragon 820;
• мультигигабитный Wi-Fi стандарта 802.11ad, обеспечивающий пиковую скорость до 4,6 Гбит/с;
• первая в мире сертифицированная коммерческая технология Bluetooth 5, обеспечивающая скорость до 2 Мбит/с и набор функций, которые позволяют новые различные варианты использования (Bluetooth, FM-радио, Wi-Fi и RF реализовываются с помощью дополняющего решения WCN3990);
• Adreno 540 GPU с поддержкой OpenGL ES 3.2, полной платформы OpenCL 2.0, Vulkan и DX12;
• Hexagon 682 DSP с HVX;
• технология Qualcomm All-Ways Aware с поддержкой Google Awareness API;
• двухканальная оперативная память LP DDR4x с 1 866 МГц;
• Qualcomm Location с поддержкой GPS, ГЛОНАСС, BeiDou, Galileo и системы QZSS, что в сочетании с возможностью подключения к LTE/Wi-Fi/ Bluetooth обеспечит "постоянной локацией" и контекстной доступностью;
• 32-мегапиксельная или двойная 16-мегапиксельная камеры с процессором Qualcomm Spectra 180, двойные 14-битные процессоры, гибридный автофокус, (лазер/контраст/структурированный свет/двухфазное обнаружение AF), Qualcomm Clear Sight, оптический зум, аппаратное ускорение технологии распознавания лиц и HDR-видеозапись;
• 4K Ultra HD видеозахват с частотой 30 кадров в секунду, Ultra HD видео до 4K с частотой 60 кадров в секунду, поддержка H.264 (AVC) и H.265 (HEVC);
• максимальная поддержка самого устройства и внешнего дисплея, включая Ultra HD Premium, 4K до 60 кадров в секунду, поддержка широкой цветовой гаммы, 10-битная глубина цвета;
• технология Quick Charge 4;
• платформа безопасности Snapdragon, включая аппаратное и программное обеспечение Qualcomm SecureMSM и пакет безопасности Qualcomm Haven;
• Qualcomm Aqstic WCD9341 аудио-кодек в сочетании с Snapdragon 835 поддерживает аудиофилы класса DAC с поддержкой 32-бит/ 384 кГц с SNR 115dB и ультра-низким -105 дБ THD+N и нативным DSD Hi-Fi аудиовоспроизведением;
• Qualcomm APTX и APTX HD Bluetooth аудио с улучшенной в два раза мощностью для беспроводной связи; 
• произведен с технологией FinFET 10-нм.

В настоящее время Snapdragon 835 находится в производстве, выпуск коммерческих устройств ожидается в первой половине 2017 года.

Додати коментар