Samsung и Qualcomm представили Snapdragon 835 с поддержкой Quick Charge 4.0

Samsung Electronics объявила о расширении сотрудничества с Qualcomm Technologies, в рамках которого компании работают над новым флагманским процессором Snapdragon 835. Чипсет построен на базе недавно представленного компанией Samsung 10-нм техпроцесса FinFET. В сравнении с 14-нм техпроцессом эффективная площадь поверхности была увеличена на 30%, производительность - на 27%, а потребление энергии снижено на 40%. Использование нового техпроцесса в производстве Snapdragon 835 позволило уменьшить габариты процессора, благодаря чему производители смогут использовать более ёмкие аккумуляторы.

"Мы рады продолжить совместную с Samsung разработку лучших на рынке продуктов. Мы ожидаем, что использование технологий Samsung Electronics обеспечит энергоэффективность и производительность нового топового процессора Snapdragon 835, а также позволит снабдить его функциями, которые будут важны для пользователей мобильных устройств в будущем", - прокомментировал этот анонс Кит Крессин, первый вице-президент подразделения по управлению продуктовым производством Qualcomm Technologies. Inc.

"Мы рады возможности поработать над Snapdragon 835 вместе с Qualcomm Technologies, используя нашу 10-нм технологию. Наше сотрудничество станет важным этапом в развитии микроэлектронных решений Samsung и послужит подтверждением лидерства компании в области передовых технологий", - добавил Ён Шик Юн, исполнительный вице-президент подразделения микроэлектронного производства Samsung Electronics.

Помимо анонса нового процессора, характеристики которого пока не сообщаются, Qualcomm также анонсировала технологию быстрой зарядки Quick Charge четвёртого поколения, которая будет доступна в устройствах на базе Snapdragon 835. Производитель обещает, что всего пяти минут зарядки будет достаточно, чтобы получить пять часов работы устройства.

Как уверяет Qualcomm, Quick Charge 4.0 позволит заряжать смартфоны на 20% быстрее в сравнении с Quick Charge 3.0. Кроме этого, устройства во время зарядки меньше нагреваются, а батареи дольше "изнашиваются". Quick Charge 4.0 также использует третью версию технологии INOV, которая отвечает за управление питанием и температурой в режиме реального времени. Qualcomm заявляет, что это первая подобная в индустрии технология, которая проводит оптимизацию зарядки за счёт автоматического определения и выбора оптимального уровня мощности в зависимости от нагрева устройства. Для устройств с поддержкой Quick Charge 4 будет выпускаться новое зарядное устройство на 6 A, которое на 95% более эффективное в сравнении с аксессуарами на 3 A.

Первые устройства на базе Snapdragon 835 с поддержкой Quick Charge 4.0 появятся на рынке уже в первой половине 2017 года.

Додати коментар